အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများ ပေးသွင်းသူ ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ် LM2904 ADS8341E/2K5 OPT3001IDNPRQ1 TPS79101DBVRG4Q1 ic ချစ်ပ်

1.ချည်နှောင်ခြင်း (chip bonding and bonding) ဆိုတာဘာလဲ၊

ချည်နှောင်ခြင်းဆိုသည်မှာ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ချည်နှောင်ခြင်းနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် ချစ်ပ်၏အတွင်းပိုင်းပတ်လမ်းကို ထုပ်ပိုးခြင်းမပြုမီ ရွှေဝါယာကြိုးများဖြင့် ပက်ကေ့ဂျ်ချိတ်များနှင့် ချိတ်ဆက်ရန်အတွက် ယေဘုယျအားဖြင့် ချည်နှောင်ပြီးနောက် (ဆိုလိုသည်မှာ ဆားကစ်တံများကို ချိတ်ဆက်ပြီးနောက်) ချစ်ပ်သည် အဆင့်မြင့် အပြင်ဘက်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာ COB (ChipOnBoard) ကို အသုံးပြုနေစဉ် အနက်ရောင်ဂျယ်ဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသော ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် အထူးဆားကစ်ဘုတ်တွင် ထည့်သွင်းထားသော epitaxial wafer ကို စမ်းသပ်ပြီးနောက်၊ ထို့နောက် ဆားကစ်ဘုတ်သို့ ရွှေဝါယာကြိုးဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားသော epitaxial wafer ဆားကစ်ကို အရည်ကျိုပြီးနောက်၊ ချစ်ပ်၏လွန်လွန်ကဲကဲ ဖုံးအုပ်မှုကို အပြီးသတ်ရန် epitaxial wafers ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ၏ အထူးအကာအကွယ်လုပ်ဆောင်ချက်ဖြင့်။

2.တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာဆိုတာဘာလဲ။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာဆိုတာ ဘာလဲဆိုတာ စကြည့်ရအောင်။ပစ္စည်းရှုထောင့်မှကြည့်လျှင် semiconductor သည် အခန်းအပူချိန်တွင် conductor နှင့် insulator အကြား လျှပ်ကူးနိုင်သော ဂုဏ်သတ္တိရှိသော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။နေ့စဉ်ဘဝတွင်ကဲ့သို့ပင် ကြေးနီနှင့် အလူမီနီယံဝါယာကြိုးများသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး ရော်ဘာနှင့် အခြားအရာများမှာ insulator များဖြစ်သည်။လျှပ်စစ်စီးကူးမှုဆိုင်ရာ စည်းကမ်းချက်များအရ၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာသည် insulator မှ conductor အထိ ထိန်းချုပ်ထားသော လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်သော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ ဂုဏ်သတ္တိလေးမျိုး။

အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၏ဖခင် ဖာရာဒေး၊ ဗြိတိသျှသိပ္ပံပညာရှင်နှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်၏ဖခင် ဖာရာဒေးသည် ငွေဆာလဖိုဒ်၏ခံနိုင်ရည်ရှိမှုအား ပထမဦးဆုံးသော သာမန်သတ္တုများနှင့်မတူဘဲ အပူချိန်ကွာခြားသွားကြောင်း တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ ရှာဖွေတွေ့ရှိမှုကို ၁၈၃၃ ခုနှစ်အထိ ပြန်လည်ခြေရာခံနိုင်ခဲ့သည်။ semiconductor ဖြစ်စဉ်ကို ရှာဖွေတွေ့ရှိခြင်း။

သို့သော် Bell Laboratories မှ 1947 ခုနှစ် ဒီဇင်ဘာလအထိ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ၏ ဂုဏ်သတ္တိများ အကျဉ်းချုပ်ကို မပြီးမြောက်ခဲ့ပါ။

အပူချိန်တက်လာပြီး ခံနိုင်ရည်ကျလာသည်- အပူချိန်တိုးလာသည်နှင့်အမျှ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ၏ခံနိုင်ရည်သည် ကျဆင်းသွားသော်လည်း ယေဘုယျအားဖြင့် သတ္တု၏ခုခံမှုမှာ အပူချိန်တိုးလာသည်။

Photovoltaic အကျိုးသက်ရောက်မှု- semiconductor နှင့် electrolyte အကြား အဆက်အသွယ်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော လမ်းဆုံသည် အလင်းရောင်နှင့် ထိတွေ့သောအခါ ဗို့အားကို ထုတ်ပေးသည်။

Photoconductive အကျိုးသက်ရောက်မှု- တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ၏ လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် အလင်း၏ရှေ့မှောက်တွင် တိုးလာသည်။

ပြုပြင်ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှု- ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် ဦးတည်ချက်ဖြစ်ပြီး အသုံးချလျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏ ဦးတည်ချက်နှင့် သက်ဆိုင်သည်။ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ၏ အဆုံးသို့ အပြုသဘောဗို့အားထည့်ကာ ၎င်းသည် လျှပ်ကူးသည်။အကယ်၍ ဗို့အားဝင်ရိုးစွန်းသည် ပြောင်းပြန်ဖြစ်နေပါက၊ ၎င်းသည် အဆင်မပြေပါ။