order_bg

ထုတ်ကုန်များ

အရည်အသွေးမြင့် Chip Transistor အသစ်နှင့် မူရင်းစျေးနှုန်းဖြင့် TO-252 IPD33CN10NG

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည်များ

အမျိုးအစား ဖော်ပြချက်
အမျိုးအစား Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ

ထရန်စစ္စတာများ - FETs၊ MOSFETs - တစ်ခုတည်း

Mfr Infineon နည်းပညာများ
စီးရီး OptiMOS™
အထုပ် တိပ်နှင့် ရစ်ပတ် (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

ထုတ်ကုန်အဆင့်အတန်း လှုပ်လှုပ်ရှားရှား
FET အမျိုးအစား N-Channel
နည်းပညာ MOSFET (သတ္တုအောက်ဆိုဒ်)
အရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss) သို့ စွန့်ပစ်ရန် 100 V
လက်ရှိ – အဆက်မပြတ်မြောင်း (ID) @ 25°C 27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On၊ Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (အများဆုံး) @ ID 4V @ 29µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Vgs (မက်စ်) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 50 V
FET အင်္ဂါရပ် -
Power Dissipation (မက်စ်) 58W (Tc)
Operating အပူချိန် -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting အမျိုးအစား Surface Mount
ပေးသွင်းသူ ကိရိယာ ပက်ကေ့ချ် PG-TO252-3
အထုပ်/အခွံ TO-252-3၊ DPak (2 Leads + Tab), SC-63
အခြေခံထုတ်ကုန်နံပါတ် IPD33CN10

ထုတ်ကုန်အချက်အလက် အမှားအယွင်းကို သတင်းပို့ပါ။

ပုံစံတူကြည့်ပါ။

စာရွက်စာတမ်းများနှင့် မီဒီယာ

အရင်းအမြစ်အမျိုးအစား လင့်ခ်
အချက်အလက်စာရွက်များ IPx3xCN10N G
အခြားဆက်စပ်စာရွက်စာတမ်းများ အပိုင်းနံပါတ်လမ်းညွှန်
အထူးအသားပေး ထုတ်ကုန် Data Processing စနစ်များ
HTML ဒေတာစာရွက် IPx3xCN10N G
သရုပ်သကန်ပုံစံများ MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice မော်ဒယ်

Environmental & Export အမျိုးအစားများ

ရည်ညွှန်းသည်။ ဖော်ပြချက်
RoHS အခြေအနေ ROHS3 နှင့် ကိုက်ညီသည်။
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (အကန့်အသတ်မရှိ)
လက်လှမ်းမီမှု အခြေအနေ လက်လှမ်းမမီ
ECCN EAR99
HTSUS ၈၅၄၁.၂၉.၀၀၉၅

ထပ်လောင်းအရင်းအမြစ်များ

ရည်ညွှန်းသည်။ ဖော်ပြချက်
အခြားအမည်များ IPD33CN10NGATMA1-ND

IPD33CN10NGATMA1CT

IPD33CN10NGATMA1TR

SP001127812

IPD33CN10NGATMA1DKR

Standard Package ၂၅၀၀

ထရန်စစ္စတာသည် အသံချဲ့စက်များ သို့မဟုတ် အီလက်ထရွန်နစ် ထိန်းချုပ်ခလုတ်များတွင် အသုံးများသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာဖြစ်သည်။ထရန်စစ္စတာများသည် ကွန်ပျူတာများ၊ မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများနှင့် အခြားသော ခေတ်မီ အီလက်ထရွန်းနစ် ဆားကစ်များအားလုံးကို ထိန်းညှိပေးသည့် အခြေခံအဆောက်အဦများဖြစ်သည်။

၎င်းတို့၏ မြန်ဆန်သောတုံ့ပြန်မှုမြန်နှုန်းနှင့် တိကျမှုမြင့်မားသောကြောင့်၊ အသံချဲ့ထွင်ခြင်း၊ ကူးပြောင်းခြင်း၊ ဗို့အားထိန်းညှိခြင်း၊ အချက်ပြမှုစနစ်နှင့် တုန်ခါခြင်းအပါအဝင် ကျယ်ပြန့်သော ဒစ်ဂျစ်တယ်နှင့် analog လုပ်ဆောင်ချက်များအတွက် ထရန်စစ္စတာများကို အသုံးပြုနိုင်သည်။Transistor များကို တစ်ဦးချင်း သို့မဟုတ် Transistor သန်း 100 သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော ပေါင်းစည်းထားသော circuit အစိတ်အပိုင်းအဖြစ် ထားရှိနိုင်သော အလွန်သေးငယ်သော ဧရိယာတွင် ထုပ်ပိုးနိုင်သည်။

အီလက်ထရွန်ပြွန်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ထရန်စစ္စတာတွင် အားသာချက်များစွာရှိသည်။

အစိတ်အပိုင်း စားသုံးမှု မရှိပါ။

ပြွန်ဘယ်လောက်ကောင်းနေပါစေ cathode အက်တမ်ပြောင်းလဲမှုများနှင့် နာတာရှည်လေယိုစိမ့်မှုကြောင့် တဖြည်းဖြည်း ယိုယွင်းလာပါသည်။နည်းပညာဆိုင်ရာ အကြောင်းများကြောင့်၊ ထရန်စစ္စတာများသည် ၎င်းတို့ကို ပထမဆုံးပြုလုပ်သောအခါတွင် အလားတူပြဿနာရှိခဲ့သည်။ပစ္စည်းများနှင့် ကဏ္ဍများစွာတွင် တိုးတက်မှုများနှင့်အတူ၊ ထရန်စစ္စတာများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ပြွန်များထက် အဆ 100 မှ 1,000 အထိ ပိုရှည်သည်။

ပါဝါ အလွန်နည်းပါတယ်။

၎င်းသည် အီလက်ထရွန်ပြွန်တစ်ခု၏ ဆယ်ပုံတစ်ပုံ သို့မဟုတ် ဆယ်ဂဏန်းမျှသာဖြစ်သည်။အီလက်ထရွန်ပြွန်ကဲ့သို့ အလကားအီလက်ထရွန်များထုတ်လုပ်ရန် အမျှင်ဓာတ်ကို အပူပေးရန် မလိုအပ်ပါ။ထရန်စစ္စတာရေဒီယိုသည် တစ်နှစ်လျှင် ခြောက်လကြာနားဆင်ရန် ခြောက်သွေ့သောဘက်ထရီအနည်းငယ်သာ လိုအပ်ပြီး tube ရေဒီယိုအတွက် လုပ်ဆောင်ရန်ခက်ခဲသည်။

ကြိုတင်အပူပေးစရာမလိုပါ။

သင်ဖွင့်ပြီးသည်နှင့်အလုပ်လုပ်ပါ။ဥပမာအားဖြင့်၊ ထရန်စစ္စတာရေဒီယိုကို ဖွင့်ထားသည်နှင့်တပြိုင်နက် ထရန်စစ္စတာရေဒီယိုသည် ၎င်းကိုဖွင့်ပြီးသည်နှင့် ထရန်စစ္စတာရုပ်မြင်သံကြားသည် ရုပ်ပုံတစ်ပုံကို တပ်ဆင်သည်။ဖုန်စုပ်ပိုက် ကိရိယာက အဲဒါကို မလုပ်နိုင်ဘူး။boot လုပ်ပြီးနောက် အသံကြားရန် ခဏစောင့်ပါ၊ ပုံတွင်ကြည့်ပါ။ရှင်းနေသည်မှာ၊ စစ်ရေး၊ တိုင်းတာမှု၊ မှတ်တမ်းတင်ခြင်းစသည်ဖြင့်၊ ထရန်စစ္စတာများသည် အလွန်အားသာချက်ရှိသည်။

ခိုင်ခံ့ပြီး စိတ်ချရပါတယ်။

အီလက်ထရွန်ပြွန်ထက် အဆ 100 ပိုယုံကြည်စိတ်ချရသော၊ တုန်ခါမှုခံနိုင်ရည်၊ အီလက်ထရွန်ပြွန်နှင့် ယှဉ်၍မရနိုင်ပါ။ထို့အပြင်၊ ထရန်စစ္စတာ၏အရွယ်အစားသည် အီလက်ထရွန်ပြွန်အရွယ်အစား၏ တစ်ပုံတစ်ပုံမှတစ်ရာအထိသာရှိပြီး အပူထုတ်လွှတ်မှုအနည်းငယ်သာရှိသော၊ သေးငယ်ရှုပ်ထွေးပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော ဆားကစ်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။Transistor ၏ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်သည် တိကျသော်လည်း၊ လုပ်ငန်းစဉ်သည် ရိုးရှင်းပြီး အစိတ်အပိုင်းများ၏ တပ်ဆင်သိပ်သည်းဆကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန် အထောက်အကူဖြစ်စေသည်။


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။