LM46002AQPWPRQ1 ပက်ကေ့ခ်ျ HTSSOP16 ပေါင်းစပ် circuit IC ချစ်ပ်အသစ် မူရင်းစက်ကွက် အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများ

Chip ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်

ပြီးပြည့်စုံသော ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ချစ်ပ်ဒီဇိုင်း၊ wafer ထုတ်လုပ်မှု၊ ချစ်ပ်ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် ချစ်ပ်စမ်းသပ်ခြင်းတို့ ပါဝင်ပြီး wafer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် အထူးရှုပ်ထွေးပါသည်။

ပထမအဆင့်မှာ လုပ်ငန်းဆိုင်ရာ ရည်မှန်းချက်များ၊ သတ်မှတ်ချက်များ၊ circuit အပြင်အဆင်၊ ဝါယာကြိုးအကွေ့အကောက်များနှင့် အသေးစိတ်အချက်များ အစရှိသည့် ဒီဇိုင်းလိုအပ်ချက်များအပေါ် အခြေခံထားသည့် ချစ်ပ်ဒီဇိုင်းဖြစ်ပြီး၊ "ဒီဇိုင်းပုံများ" ကို ထုတ်ပေးပါသည်။photomasks များကို chip စည်းမျဉ်းများနှင့်အညီကြိုတင်ထုတ်လုပ်ထားသည်။

②Wafer ထုတ်လုပ်မှု။

1. Silicon wafers များကို wafer slicer ကို အသုံးပြု၍ လိုအပ်သော အထူသို့ ဖြတ်တောက်ထားပါသည်။wafer က ပိုပါးလေ၊ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ် သက်သာလေ၊ ဒါပေမယ့် လုပ်ငန်းစဉ်က ပိုတောင်းဆိုလာလေပါပဲ။

2. wafer မျက်နှာပြင်ကို photoresist film ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီး wafer ၏ ဓာတ်တိုးမှုနှင့် အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိအောင် မြှင့်တင်ပေးသည်။

3. Wafer photolithography ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် etching သည် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်ကို ထိလွယ်ရှလွယ်သော ဓာတုပစ္စည်းများကို အသုံးပြုသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ၎င်းတို့သည် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်နှင့်ထိတွေ့သောအခါ ပိုမိုပျော့ပျောင်းလာပါသည်။Mask ၏ အနေအထားကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ချစ်ပ်၏ ပုံသဏ္ဍာန်ကို ရရှိနိုင်သည်။Photoresist သည် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်နှင့် ထိတွေ့သောအခါတွင် ပျော်ဝင်စေရန် ဆီလီကွန် wafer တွင် သက်ရောက်သည်။Mask ၏ ပထမအပိုင်းကို ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်နှင့် ထိတွေ့သော အစိတ်အပိုင်းကို ပျော်ဝင်စေရန်နှင့် ဤပျော်ဝင်နေသော အစိတ်အပိုင်းကို ပျော်ရည်ဖြင့် ဆေးကြောနိုင်စေရန် Mask ၏ ပထမပိုင်းကို လိမ်းခြင်းဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။ထို့နောက် ဤပျော်ဝင်နေသော အစိတ်အပိုင်းကို ဆားရည်ဖြင့် ဆေးကြောနိုင်သည်။ကျန်တဲ့အပိုင်းကို photoresist နဲ့ ပုံသဏ္ဍာန်လုပ်ပြီး လိုချင်တဲ့ silica အလွှာကိုပေးတယ်။

4. အိုင်းယွန်းထိုးဆေး။ထွင်းထုစက်ကို အသုံးပြု၍ N နှင့် P ထောင်ချောက်များကို ဆီလီကွန်ဗလာထဲသို့ ထွင်းထုပြီး PN လမ်းဆုံ (လော့ဂျစ်ဂိတ်) အဖြစ် အိုင်းယွန်းများကို ထိုးသွင်းသည်။အထက်သတ္တုအလွှာကို ဓာတုနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ရာသီဥတု မိုးရွာသွန်းမှုဖြင့် ဆားကစ်နှင့် ချိတ်ဆက်သည်။

5. Wafer စမ်းသပ်ခြင်း အထက်ဖော်ပြပါ လုပ်ငန်းစဉ်များပြီးနောက်၊ wafer ပေါ်တွင် အန်စာတုံးများကို ရာဇမတ်ကွက်တစ်ခု ဖန်တီးပေးသည်။အသေတစ်ခုစီ၏ လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများကို pin test ဖြင့် စမ်းသပ်သည်။

③ချစ်ပ်ထုပ်

အချောထည် wafer ကို fixed ၊ pins တွင်ချည်နှောင်ပြီးလိုအပ်ချက်အရအမျိုးမျိုးသော packages များအဖြစ်ပြုလုပ်ထားသည်။ဥပမာများ- DIP၊ QFP၊ PLCC၊ QFN စသည်ဖြင့်။၎င်းကို အသုံးပြုသူ၏ အပလီကေးရှင်းအလေ့အထများ၊ အက်ပ်ပလီကေးရှင်းပတ်ဝန်းကျင်၊ စျေးကွက်အခြေအနေနှင့် အခြားအရံအချက်များဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။

④Chip စမ်းသပ်ခြင်း။

ချစ်ပ်ပြားထုတ်လုပ်ခြင်း၏ နောက်ဆုံးလုပ်ငန်းစဉ်မှာ အထွေထွေစမ်းသပ်ခြင်းနှင့် အထူးစမ်းသပ်ခြင်းဟူ၍ ပိုင်းခြားနိုင်သည့် ထုတ်ကုန်အချောထည်စမ်းသပ်ခြင်းဖြစ်ပြီး ယခင်သည် ပါဝါသုံးစွဲမှု၊ လည်ပတ်မှုအမြန်နှုန်း၊ ဗို့အားခုခံမှုစသည့် ပတ်ဝန်းကျင်အမျိုးမျိုးတွင် ထုပ်ပိုးပြီးနောက် ချစ်ပ်၏ လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများကို စမ်းသပ်ရန်ဖြစ်သည်။ စသည်တို့ကို စမ်းသပ်ပြီးနောက်၊ ချစ်ပ်များကို ၎င်းတို့၏ လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများအလိုက် အဆင့်အမျိုးမျိုး ခွဲခြားထားသည်။အထူးစမ်းသပ်မှုသည် ဖောက်သည်၏ အထူးလိုအပ်ချက်များ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များအပေါ် အခြေခံပြီး အချို့သော အမျိုးအစားများနှင့် အလားတူသော အမျိုးအစားများမှ ချစ်ပ်များကို ဖောက်သည်အတွက် အထူးချစ်ပ်များ ဒီဇိုင်းထုတ်သင့်သလား၊ ဝယ်ယူသူအတွက် အထူးချစ်ပ်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်သင့်မလား။ယေဘူယျစမ်းသပ်မှုအောင်မြင်ပြီးသော ထုတ်ကုန်များကို သတ်မှတ်ချက်များ၊ မော်ဒယ်နံပါတ်များနှင့် စက်ရုံထုတ်ရက်စွဲများဖြင့် တံဆိပ်တပ်ထားပြီး စက်ရုံမှမထွက်မီ ထုပ်ပိုးထားသည်။စာမေးပွဲမအောင်သော ချစ်ပ်များကို ၎င်းတို့အောင်မြင်ခဲ့သည့် ကန့်သတ်ချက်များပေါ်မူတည်၍ အဆင့်နှိမ့်ချ သို့မဟုတ် ငြင်းပယ်ခြင်းအဖြစ် ခွဲခြားထားသည်။