အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်း IC ချစ်ပ်များ ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ် IC TPS74701QDRCRQ1 တစ်နေရာတည်းဝယ်

wafers နှင့် chips အကြားဆက်ဆံရေး

wafers ၏ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

wafer နှင့် ချစ်ပ်များကြား ဆက်စပ်မှုကို နားလည်ရန်၊ အောက်ပါ wafer နှင့် chip အသိပညာ၏ အဓိကကျသော အစိတ်အပိုင်းများကို ခြုံငုံသုံးသပ်ထားပါသည်။

(ဈ) ဆပ်ပြာဆိုတာ ဘာလဲ။

Wafers များသည် စက်ဝိုင်းပုံသဏ္ဍာန်ကြောင့် wafers ဟုခေါ်သော silicon semiconductor integrated circuits များထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသော silicon wafers များဖြစ်သည်။၎င်းတို့ကို ဆားကစ်အစိတ်အပိုင်းအမျိုးမျိုးကိုဖွဲ့စည်းရန်နှင့် သီးခြားလျှပ်စစ်လုပ်ဆောင်ချက်များဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော circuit ထုတ်ကုန်များဖြစ်လာစေရန် ဆီလီကွန် wafers များပေါ်တွင် စီမံဆောင်ရွက်နိုင်သည်။wafers များအတွက် ကုန်ကြမ်းမှာ ဆီလီကွန်ဖြစ်ပြီး၊ ကမ္ဘာမြေ၏ အပေါ်ယံမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် မကုန်မခန်း ထောက်ပံ့မှုရှိပါသည်။ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်သတ္တုရိုင်းများကို ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ်ဖြင့် ကလိုရင်းဖြင့် သန့်စင်ပြီး 99.99999999999% ရှိသော သန့်စင်မှု 99.9999999999% ဖြင့် သန့်စင်သော ပိုလီဆီလီကွန်ကို ထုတ်လုပ်ရန် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်သတ္တုရိုင်းကို သန့်စင်ထားသည်။

(ii) ဝေဖာများအတွက် အခြေခံကုန်ကြမ်းများ

ဆီလီကွန်ကို quartz သဲမှ သန့်စင်ပြီး wafer များကို ဒြပ်စင်ဆီလီကွန်မှ (99.999%) သန့်စင်ထားပြီး၊ ထို့နောက် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းများအတွက် quartz semiconductors အတွက် ပစ္စည်းဖြစ်လာသည့် ဆီလီကွန်ချောင်းများအဖြစ် ဆီလီကွန်ချောင်းများအဖြစ် ပြုလုပ်ထားသည်။

(iii) Wafer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်

Wafers များသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ချစ်ပ်များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အခြေခံပစ္စည်းဖြစ်သည်။ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များအတွက် အရေးကြီးဆုံးကုန်ကြမ်းမှာ ဆီလီကွန်ဖြစ်ပြီး ထို့ကြောင့် ဆီလီကွန် wafers များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

ဆီလီကွန်ကို ကျောက်တုံးများနှင့် ကျောက်စရစ်များတွင် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် သို့မဟုတ် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ပုံစံဖြင့် သဘာဝတွင် တွင်ကျယ်စွာတွေ့ရှိရသည်။ဆီလီကွန် wafers များထုတ်လုပ်ခြင်းကို အခြေခံအဆင့်သုံးဆင့်ဖြင့် အကျဉ်းချုံးနိုင်သည်- ဆီလီကွန်သန့်စင်ခြင်းနှင့် သန့်စင်ခြင်း၊ တစ်ခုတည်းသော crystal silicon ကြီးထွားမှုနှင့် wafer ဖွဲ့စည်းခြင်း။

ပထမတစ်မျိုးမှာ ဆီလီကွန်သန့်စင်ခြင်းဖြစ်ပြီး၊ သဲနှင့်ကျောက်စရစ်များ၏ ကုန်ကြမ်းကို အပူချိန် 2000°C ခန့်တွင် အပူချိန် 2000°C နှင့် ကာဗွန်ရင်းမြစ်ရှိနေသည့် လျှပ်စစ်မီးဖိုထဲသို့ ထည့်ထားခြင်းဖြစ်သည်။မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်၊ သဲနှင့်ကျောက်စရစ်များတွင် ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်တို့သည် ဓာတုဗေဒတုံ့ပြန်မှု (ကာဗွန်နှင့် ပေါင်းစပ်ကာ အောက်ဆီဂျင်နှင့် ပေါင်းစပ်ကာ ဆီလီကွန်ချန်) သန့်စင်သော ဆီလီကွန် 98% ခန့်ဖြင့် သန့်စင်မှုကို ရရှိရန် သတ္တုဗေဒအဆင့် ဆီလီကွန်ဟုလည်း ခေါ်သည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများ၏လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများသည်အညစ်အကြေးများ၏အာရုံစူးစိုက်မှုအပေါ်အလွန်အထိခိုက်မခံသောကြောင့်မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက်လုံလောက်သောစင်ကြယ်သည်။ထို့ကြောင့် သတ္တုအဆင့် ဆီလီကွန်ကို ထပ်မံသန့်စင်သည်- ကြေမွသောသတ္တုအဆင့် ဆီလီကွန်သည် ဓာတ်ငွေ့ရည်ထုတ်ရန် ဓာတ်ငွေ့ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ကလိုရိုက်ဖြင့် ကလိုရင်းတုံ့ပြန်မှုခံယူကာ သန့်စင်ပြီး 9999999.999.9999.9999.9999.9999.9999.9999. အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဆီလီကွန်ဖြစ်သွားသည့် %။

နောက်တစ်ခုကတော့ တိုက်ရိုက်ဆွဲခြင်း (CZ method) လို့ခေါ်တဲ့ အသုံးအများဆုံးနည်းလမ်းဖြစ်တဲ့ monocrystalline silicon ကြီးထွားမှုပါ။အောက်ဖော်ပြပါပုံတွင် ပြထားသည့်အတိုင်း၊ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ပိုလီဆီလီကွန်ကို quartz crucible တွင် ထားရှိကာ အပြင်ဘက်ပတ်ပတ်လည် ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးသည့်စက်ဖြင့် စဉ်ဆက်မပြတ် အပူပေးကာ အပူချိန် 1400 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ထိန်းသိမ်းထားသည်။မီးဖိုတွင်းရှိ ဓာတ်ငွေ့များသည် အများအားဖြင့် အားအင်မရှိသဖြင့် ပိုလီဆီလီကွန်ကို မလိုလားအပ်သော ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများ မဖန်တီးဘဲ အရည်ပျော်သွားစေသည်။တစ်ခုတည်းသော crystals များဖွဲ့စည်းရန်အတွက်၊ ပုံဆောင်ခဲများ၏ တိမ်းညွှတ်မှုကိုလည်း ထိန်းချုပ်သည်- သစ်တုံးကို ပိုလီဆီလီကွန် အရည်ပျော်မှုဖြင့် လှည့်ပတ်ထားပြီး အစေ့ပုံဆောင်ခဲကို ၎င်းတွင် နှစ်မြှုပ်ထားပြီး ပုံဆောင်တံကို အပေါ်ဘက်သို့ ဖြည်းညှင်းစွာနှင့် ဒေါင်လိုက်ဆွဲကာ ဆန့်ကျင်ဘက်သို့ သယ်ဆောင်သည်။ ဆီလီကွန် အရည်ပျော်။အရည်ကျိုထားသော ပိုလီဆီလီကွန်သည် အစေ့ပုံဆောင်ခဲ၏အောက်ခြေတွင် ကပ်နေပြီး အစေ့သလင်းခဲ၏ ရာဇမတ်ကွက်ပုံစံ၏ ဦးတည်ချက်အတိုင်း ကြီးထွားလာသည်။