အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်း IC ချစ်ပ်များ ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များ BOM ဝန်ဆောင်မှု TPS4H160AQPWPRQ1

wafers နှင့် chips အကြားဆက်ဆံရေး

ချစ်ပ်တစ်ခုသည် N တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများထက် ပိုသော Semiconductors များဖြစ်ပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် diodes triodes field effect tubes သေးငယ်သော power resistors inductors capacitors စသည်တို့ဖြစ်သည်။

၎င်းသည် အက်တမ်နျူကလိယရှိ အက်တမ်နျူကလိယတွင် အခမဲ့အီလက်ထရွန်များ၏ အာရုံစူးစိုက်မှုကို ပြောင်းလဲရန် အက်တမ်နျူကလိယ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို ပြောင်းလဲရန်အတွက် စက်ဝိုင်းပုံတွင်း (အီလက်ထရွန်) သို့မဟုတ် အနည်းငယ် (အပေါက်များ) ဆီသို့ ပြောင်းလဲရန် နည်းပညာဆိုင်ရာ နည်းလမ်းများကို အသုံးပြုခြင်းဖြစ်သည်။ အမျိုးမျိုးသော semiconductors များဖွဲ့စည်းသည်။

ဆီလီကွန် နှင့် ဂျာမနီယမ် တို့သည် အများအားဖြင့် အသုံးများသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများ ဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့၏ ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ပစ္စည်းများ သည် ဤနည်းပညာများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် အမြောက်အမြား လွယ်ကူပြီး စျေးပေါပေါဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။

ဆီလီကွန်ဝေဖာကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာ အများအပြားဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။wafer ၏လုပ်ဆောင်ချက်သည် လိုအပ်သလို wafer တွင်ရှိသော semiconductors များထဲမှ circuit တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန်ဖြစ်သည်။

wafers နှင့် chips အကြားဆက်နွယ်မှု - ချစ်ပ်တစ်ခုတွင် wafer မည်မျှရှိသည်

၎င်းသည် သင်၏သေဆုံးမှုအရွယ်အစား၊ သင်၏ wafer အရွယ်အစားနှင့် အထွက်နှုန်းအပေါ် မူတည်သည်။

လက်ရှိတွင်၊ စက်မှုလုပ်ငန်း၏ 6" 12" သို့မဟုတ် 18" wafers များသည် wafer အချင်းအတွက် အတိုကောက်ဖြစ်သော်လည်း လက်မသည် ခန့်မှန်းချက်ဖြစ်သည်။ အမှန်တကယ် wafer အချင်းကို 150mm၊ 300mm နှင့် 450mm ခွဲခြားထားပြီး 12" သည် 305mm နှင့် ညီမျှပါသည်။ အဆင်ပြေစေရန်အတွက် 12" wafer ဟုခေါ်သည်။

ပြီးပြည့်စုံသော wafer

ရှင်းလင်းချက်- wafer သည် ပုံတွင်ပြထားသည့် wafer ဖြစ်ပြီး သန့်စင်သော ဆီလီကွန် (Si) ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။wafer သည် ကြိတ်ပြားအဖြစ် ထုပ်ပိုးထားသော ဆီလီကွန် wafer ၏ သေးငယ်သော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။Nand Flash wafer ပါ၀င်သော wafer တစ်ခု၊ wafer ကို ဦးစွာဖြတ်ပြီးနောက် စမ်းသပ်ပြီး၊ သင်နေ့စဉ်မြင်နေရသော Nand Flash ချစ်ပ်ကို ဖန်တီးရန်အတွက် နဂိုအတိုင်း၊ တည်ငြိမ်ပြီး စွမ်းရည်ပြည့်သော အသေကို ဖယ်ရှားပြီး ထုပ်ပိုးထားသည်။

ထို့နောက် wafer ပေါ်တွင် ကျန်ရှိနေသော အရာများသည် မတည်မငြိမ်ဖြစ်ခြင်း၊ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း ပျက်စီးခြင်း၊ ထို့ကြောင့် စွမ်းဆောင်ရည်နည်းပါးခြင်း သို့မဟုတ် လုံးဝပျက်စီးသွားခြင်း ဖြစ်သည်။မူလထုတ်လုပ်သူသည် အရည်အသွေး အာမခံချက်ဖြင့် ထိုသေသေများကို ကြေငြာပြီး ၎င်းတို့ကို စုစုပေါင်း အမှိုက်စွန့်ပစ်ခြင်းအတွက် အပိုင်းအစအဖြစ် တိကျစွာ သတ်မှတ်သတ်မှတ်မည်ဖြစ်သည်။

သေဆုံးခြင်းနှင့် wafer အကြားဆက်ဆံရေး

သတ္တုပြားကို ဖြတ်တောက်ပြီးနောက်၊ မူလ wafer သည် အောက်ဖော်ပြပါပုံတွင် ပြထားသည့်အရာ ဖြစ်လာသည်၊ ၎င်းသည် ကျန်ရှိနေသည့် Flash Wafer ကို အဆင့်နှိမ့်ပေးသည်။

ပြထားသော wafer

ဤကျန်နေသော အသေများသည် စံမမီသော ဝေဖာများဖြစ်သည်။ဖယ်ရှားလိုက်သောအပိုင်း၊ အနက်ရောင်အပိုင်းသည် အရည်အချင်းပြည့်မီသော သေဆုံးပြီး မူလထုတ်လုပ်သူမှ အချောထည် NAND အလုံးများအဖြစ် ထုပ်ပိုးသွားမည်ဖြစ်ပြီး အရည်အချင်းမပြည့်မီသောအပိုင်း၊ ပုံတွင်ကျန်ခဲ့သောအပိုင်းကို အပိုင်းအစအဖြစ် စွန့်ပစ်မည်ဖြစ်သည်။