STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP Tube

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

STF13N80K5 ပါဝါ MOSFETde သည် အမြင့်ဆုံးပါဝါသုံးစွဲမှု 35,000 mW ရှိသည်။အစုလိုက် ထုပ်ပိုးခြင်းကြောင့် အစိတ်အပိုင်းများ မပျက်စီးစေရန် သေချာစေရန်၊ ၎င်းသည် ပြင်ပပြွန်များတွင် လျော့ရဲသော အစိတ်အပိုင်းများကို သိမ်းဆည်းခြင်းဖြင့် အနည်းငယ် ကာကွယ်မှု ထပ်လောင်းပေးသည့် tubular ထုပ်ပိုးမှုကို အသုံးပြုသည်။Transistor သည် မတူညီသော အီလက်ထရွန်းနစ် အချက်ပြများကြားတွင် လွယ်ကူလျင်မြန်စွာ ကူးပြောင်းနိုင်သည်။စက်ပစ္စည်းသည် super mesh နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။MOSFET ထရန်စစ္စတာသည် အပူချိန် -55°C မှ 150°C အတွင်း လုပ်ဆောင်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ ရက်စွဲစာရွက်ကို ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည်များ

EU RoHS	ကင်းလွတ်ခွင့်နှင့် ကိုက်ညီသည်။
ECCN (အမေရိကန်)	EAR99
အပိုင်း အဆင့်အတန်း	လှုပ်လှုပ်ရှားရှား
HTS	8541.29.00.95
SVHC	ဟုတ်ကဲ့
SVHC သည် သတ်မှတ်ချက်ထက် ကျော်လွန်သည်။	ဟုတ်ကဲ့
မော်တော်ကား	No
PPAP	No
ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား	ပါဝါ MOSFET
ဖွဲ့စည်းမှု	လူပျို
လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာ	SuperMESH
ချန်နယ်မုဒ်	မြှင့်တင်ပေးခြင်း
ချန်နယ်အမျိုးအစား	N
Chip တစ်ခုလျှင် Elements အရေအတွက်	1
အများဆုံး Drain ရင်းမြစ် ဗို့အား (V)	၈၀၀
အများဆုံး ဂိတ်ရင်းမြစ် ဗို့အား (V)	±30
အများဆုံး Gate Threshold Voltage (V)	5
လမ်းဆုံ အပူချိန် (°C)	-၅၅ မှ ၁၅၀
အများဆုံး Continuous Drain Current (A)	12
အများဆုံး ဂိတ်ရင်းမြစ် ပေါက်ကြားမှု လက်ရှိ (nA)	၁၀၀၀၀
အများဆုံး IDSS (uA)	1
အများဆုံး Drain Source Resistance (mOhm)	450@10V
ပုံမှန်ဂိတ်တာဝန်ခံ @ Vgs (nC)	27@10V
ပုံမှန် Gate Charge @ 10V (nC)	27
ပုံမှန် Input Capacitance @ Vds (pF)	870@100V
အများဆုံးပါဝါ Dissipation (mW)	၃၅၀၀၀
ပုံမှန်ကြွေကျချိန် (ns)	16
ပုံမှန်မြင့်တက်ချိန် (ns)	16
ပုံမှန် အဖွင့်နှောင့်နှေးချိန် (ns)	42
ပုံမှန်ဖွင့်ရန် နှောင့်နှေးချိန် (ns)	16
အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်အပူချိန် (°C)	စာ-၅၅
အများဆုံးလည်ပတ်အပူချိန် (°C)	၁၅၀
ပေးသွင်းသူ အပူချိန်အဆင့်	စက်မှု
များပါတယ်။	အဝီစိ
အများဆုံး Positive Gate ရင်းမြစ် ဗို့အား (V)	30
အမြင့်ဆုံး Diode Forward Voltage (V)	၁.၅
တပ်ဆင်ခြင်း။	အပေါက်မှတဆင့်
Package အမြင့်	16.4(အများဆုံး)
Package အကျယ်	4.6(အများဆုံး)
Package အရှည်	10.4(အများဆုံး)
PCB ပြောင်းသွားတယ်။	3
တက်ဘ်	တက်ဘ်
Standard Package အမည်	TO
ပေးသွင်းသူအထုပ်	TO-220FP
ပင်နံပါတ်	3
ခဲပုံသဏ္ဍာန်	အပေါက်မှတဆင့်

နိဒါန်း

Field Effect Tube သည် တစ်ခုဖြစ်သည်။အီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာအီလက်ထရွန်းနစ် ဆားကစ်တစ်ခုရှိ လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းချုပ်ရန်နှင့် ထိန်းညှိရန် အသုံးပြုသည်။၎င်းသည် အလွန်မြင့်မားသော လက်ရှိအမြတ်အစွန်းရှိသော triode အသေးစားဖြစ်သည်။Fets ကဲ့သို့သော အီလက်ထရွန်းနစ် ဆားကစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုခဲ့သည်။ပါဝါအသံချဲ့စက်, အသံချဲ့စက်ပတ်လမ်းဇကာနး၊switching circuitနောက် ... ပြီးတော့။

field effect tube ၏နိယာမသည် field effect ဖြစ်ပြီး၊ silicon ကဲ့သို့သော semiconductor ပစ္စည်းအချို့ကိုရည်ညွှန်းသည့် field effect ဖြစ်ပြီး၊ အသုံးချလျှပ်စစ်စက်ကွင်းကိုအသုံးချပြီးနောက်၎င်း၏အီလက်ထရွန်များ၏လုပ်ဆောင်ချက်သည်သိသိသာသာတိုးတက်လာသည်၊ ထို့ကြောင့်၎င်း၏လျှပ်ကူးမှုကိုပြောင်းလဲစေသည်။ ဂုဏ်သတ္တိများ။ထို့ကြောင့် လျှပ်စီးကြောင်းဖြစ်လျှင်c အကွက်ကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းတစ်ခု၏ မျက်နှာပြင်တွင် သက်ရောက်သည်၊ ထို့ကြောင့် လက်ရှိအားထိန်းညှိရန် ရည်ရွယ်ချက်အောင်မြင်ရန် ၎င်း၏လျှပ်ကူးနိုင်သောဂုဏ်သတ္တိများကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

Fets ကို N-type fets နှင့် P-type Fets ဟူ၍ ခွဲခြားထားသည်။N-type Fets ကို N-type semiconductor ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး ရှေ့သို့ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း မြင့်မားကာ ပြောင်းပြန်စီးကူးနိုင်မှု နည်းပါးသည်။P-type Fets ကို P-type semiconductor ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး မြင့်မားသော ပြောင်းပြန်လျှပ်ကူးမှုနှင့် ရှေ့သို့ လျှပ်ကူးနိုင်မှု နည်းပါးသည်။N-type field effect tube နှင့် P-type field effect tube တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည့် field effect tube သည် လက်ရှိ ထိန်းချုပ်မှုကို သိရှိနိုင်သည်။

FET ၏ အဓိကအင်္ဂါရပ်မှာ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်းနှင့် အာရုံခံမှုမြင့်မားသော ဆားကစ်များအတွက် သင့်လျော်သော မြင့်မားသောလက်ရှိရရှိမှုရှိပြီး ဆူညံသံနည်းပါးခြင်းနှင့် ဖြတ်တောက်မှုနည်းသော ဆူညံသံများ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။၎င်းတွင် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းခြင်း၊ အပူလျော့နည်းခြင်း၊ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ ရှိပြီး စံပြလက်ရှိထိန်းချုပ်သည့်ဒြပ်စင်တစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။

Fets သည် သာမန် triode များနှင့် ဆင်တူသော်လည်း လက်ရှိရရှိမှု မြင့်မားသည်။၎င်း၏လုပ်ငန်းခွင်ပတ်လမ်းကို ယေဘူယျအားဖြင့် အရင်း၊ မြောင်းနှင့် ထိန်းချုပ်မှုဟူ၍ သုံးပိုင်းခွဲထားသည်။အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းများသည် လျှပ်စီးကြောင်း၏ လမ်းကြောင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ကွန်ထရိုးဝင်ရိုးသည် လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်သည်။ကွန်ထရိုးဝင်ရိုးပေါ်တွင် ဗို့အားတစ်ခုသက်ရောက်သောအခါ၊ လျှပ်စီးကြောင်းကိုထိန်းညှိရန် ရည်ရွယ်ချက်အောင်မြင်စေရန်အတွက် လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင် Fets ကို ပါဝါအမ်ပလီယာများ၊ စစ်ထုတ်သည့်ဆားကစ်များ၊ လျှပ်စီးပတ်လမ်းများကဲ့သို့သော ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ပါဝါအမ်ပီယာများတွင် Fets သည် အထွက်ပါဝါကို တိုးမြှင့်စေပြီး အထွက်ပါဝါကို တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။filter circuit တွင် field effect tube သည် circuit အတွင်းရှိ noise ကို စစ်ထုတ်နိုင်ပါသည်။switching circuit တွင် FET သည် switching function ကို သိရှိနိုင်သည်။

ယေဘုယျအားဖြင့် Fets သည် အရေးကြီးသော အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး အီလက်ထရွန်းနစ် ဆားကစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။၎င်းသည် မြင့်မားသော လက်ရှိအမြတ်၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းသော၊ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု၏ ဝိသေသလက္ခဏာများရှိပြီး စံပြလက်ရှိထိန်းချုပ်မှုဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။

ယခင်- L6205PD013TR 100% အသစ်နှင့် မူရင်းကိုယ်ပိုင်စတော့ခ် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် နာရီကြားခံမိသားစု

နောက်တစ်ခု: XCVU190-2FLGB2104I 100% အသစ်နှင့် မူရင်းကိုယ်ပိုင်စတော့ခ် ပေါင်းစပ်ထားသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် နာရီကြားခံမိသားစု

သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။