IC ချစ်ပ်ချို့ယွင်းမှု ဆန်းစစ်ချက်၊ICchip ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များသည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၊ ထုတ်လုပ်မှုနှင့် အသုံးပြုမှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် မအောင်မြင်နိုင်ပေ။ကုန်ပစ္စည်းအရည်အသွေးနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုအတွက် လူတို့၏လိုအပ်ချက်များ တိုးတက်လာခြင်းနှင့်အတူ၊ ကျရှုံးမှုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းလုပ်ငန်းသည် ပို၍အရေးကြီးလာသည်။ချစ်ပ်ပြားချို့ယွင်းမှုကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းဖြင့်၊ ဒီဇိုင်နာများ၏ IC ချစ်ပ်များသည် ဒီဇိုင်းတွင် ချို့ယွင်းချက်များ၊ နည်းပညာဆိုင်ရာ ဘောင်များတွင် မကိုက်ညီမှုများ၊ မသင့်လျော်သော ဒီဇိုင်းနှင့် လည်ပတ်ဆောင်ရွက်မှုစသည်ဖြင့် ချို့ယွင်းချက်များအား ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း၏ အဓိပ္ပါယ်မှာ အဓိကအားဖြင့် ထင်ရှားသည်-
အကျယ်တဝင့်ပြောရရင် အဓိက အရေးပါပါတယ်။ICchip ချို့ယွင်းမှု ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုကို အောက်ပါ ရှုထောင့်များဖြင့် ပြသထားသည်။
1. Failure analysis သည် IC ချစ်ပ်များ၏ ကျရှုံးမှု ယန္တရားကို ဆုံးဖြတ်ရန် အရေးကြီးသော နည်းလမ်းနှင့် နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။
2. အမှားခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းသည် ထိရောက်သောအမှားရှာဖွေခြင်းအတွက် လိုအပ်သောအချက်အလက်များကို ပေးပါသည်။
3. Failure analysis သည် ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများအား ဒီဇိုင်းသတ်မှတ်ချက်များ၏ လိုအပ်ချက်များကို ပြည့်မီစေရန် chip ဒီဇိုင်းကို စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်မှုနှင့် မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
4. ပျက်ကွက်မှု ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းသည် မတူညီသော စမ်းသပ်နည်းများ၏ ထိရောက်မှုကို အကဲဖြတ်နိုင်ပြီး ထုတ်လုပ်မှုစမ်းသပ်ခြင်းအတွက် လိုအပ်သော ဖြည့်စွက်စာများ ပံ့ပိုးပေးကာ စမ်းသပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်နှင့် စိစစ်ရန်အတွက် လိုအပ်သော အချက်အလက်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။
ကျရှုံးမှုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု၏ အဓိကအဆင့်များနှင့် အကြောင်းအရာများ-
◆ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းကို ထုပ်ပိုးခြင်း- ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းကို ဖယ်ရှားနေစဉ်၊ ချစ်ပ်လုပ်ဆောင်ချက်၏ သမာဓိကို ထိန်းသိမ်းပါ၊ အသေ၊ ဘွန်းပတ်များ၊ ဘွန်းဝိုင်ယာများနှင့် ခဲဘောင်များကို ထိန်းသိမ်းကာ နောက်လာမည့် ချစ်ပ်ပြားမမှန်ကန်ကြောင်း ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု စမ်းသပ်ချက်အတွက် ပြင်ဆင်ပါ။
◆SEM စကင်န်ကြည့်မှန်/EDX ပေါင်းစပ်မှုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း- ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း/ချို့ယွင်းချက် စူးစမ်းလေ့လာမှု၊ သမရိုးကျ ဒြပ်စင်ဖွဲ့စည်းမှု၏ အသေးစားဧရိယာခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု၊ ဖွဲ့စည်းမှုအရွယ်အစားကို မှန်ကန်သော တိုင်းတာခြင်း စသည်ဖြင့်။
◆ စုံစမ်းစစ်ဆေးခြင်း- အတွင်းရှိ လျှပ်စစ်အချက်ပြမှုICmicro-probe မှတဆင့် လွယ်ကူလျင်မြန်စွာ ရရှိနိုင်သည်။လေဆာ- မိုက်ခရိုလေဆာကို ချစ်ပ် သို့မဟုတ် ဝါယာကြိုး၏ အပေါ်ပိုင်း သီးခြားဧရိယာကို ဖြတ်တောက်ရန် အသုံးပြုသည်။
◆EMMI ထောက်လှမ်းခြင်း- EMMI အလင်းရောင်နည်းသော အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းသည် အာရုံခံနိုင်စွမ်းမြင့်မားပြီး အဖျက်အဆီးမရှိသော အမှားတည်နေရာနည်းလမ်းကို ပံ့ပိုးပေးသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ချို့ယွင်းချက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသည့်ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။၎င်းသည် အလွန်အားနည်းသောဖြာထွက်မှု (မြင်နိုင်၊ အနီး-အနီအောက်ရောင်ခြည်) ကို ရှာဖွေနိုင်ပြီး အစိတ်အပိုင်းအမျိုးမျိုးရှိ ချို့ယွင်းချက်များနှင့် ကွဲလွဲချက်များကြောင့် ယိုစိမ့်နေသော ယိုစိမ့်သောရေစီးကြောင်းများကို ဖမ်းယူနိုင်သည်။
◆ OBIRCH အပလီကေးရှင်း (လေဆာရောင်ခြည်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော impedance တန်ဖိုးပြောင်းလဲမှုစမ်းသပ်မှု)- OBIRCH ကို အတွင်းပိုင်း မြင့်မားသော impedance နှင့် low-impedance ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုများအတွက် အသုံးပြုလေ့ရှိသည် ICချစ်ပ်ပြားများနှင့် လိုင်းယိုစိမ့်မှု လမ်းကြောင်း ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း။OBIRCH နည်းလမ်းကို အသုံးပြု၍ ဆားကစ်များတွင် ချို့ယွင်းချက်များကို လိုင်းအပေါက်များ၊ အပေါက်များအောက်ရှိ အပေါက်များနှင့် အပေါက်များမှတဆင့် အောက်ခြေရှိ ခံနိုင်ရည်မြင့်မားသောနေရာများကဲ့သို့သော ဆားကစ်များတွင် ချို့ယွင်းချက်များကို ထိရောက်စွာ တွေ့ရှိနိုင်သည်။နောက်ဆက်တွဲ ထပ်တိုး။
◆ LCD ဖန်သားပြင် အပူရှိန်ကို သိရှိခြင်း- LCD မျက်နှာပြင်ကို အသုံးပြု၍ IC ၏ ယိုစိမ့်မှုအမှတ်တွင် မော်လီကျူးဖွဲ့စည်းမှုနှင့် ပြန်လည်ဖွဲ့စည်းမှုကို သိရှိရန်၊ နှင့် အဏုစကုပ်အောက်ရှိ အခြားနေရာများနှင့် ကွဲပြားသော အစက်အပြောက်ပုံသဏ္ဍာန်ကို ပြသရန် ယိုစိမ့်မှုအမှတ် (မှားယွင်းသည့်အချက်ထက် ပိုကြီးသည် 10mA) အမှန်တကယ်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုတွင်ဒီဇိုင်နာကိုဒုက္ခပေးလိမ့်မည်။ပုံသေအမှတ်/ပုံသေအမှတ်မဟုတ်သော ချစ်ပ်ပြားကို ကြိတ်ခြင်း- LCD driver ချစ်ပ်၏ Pad ပေါ်တွင် ထည့်သွင်းထားသော ရွှေအဖုအပိန့်များကို ဖယ်ရှားပါ၊ သို့မှသာ Pad သည် လုံးဝပျက်စီးခြင်းမရှိစေရန်၊ နောက်ဆက်တွဲ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုနှင့် ပြန်လည်ပေါင်းစည်းရန် အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။
◆ X-Ray မပျက်စီးစေသော စမ်းသပ်ခြင်း- အမျိုးမျိုးသော ချို့ယွင်းချက်များကို ရှာဖွေပါ။ ICကွဲထွက်ခြင်း၊ ကွဲထွက်ခြင်း၊ ပျက်ပြယ်သွားခြင်း၊ ဝိုင်ယာကြိုးများ သမာဓိရှိခြင်း၊ PCB တွင် ချိန်ညှိမှု ညံ့ဖျင်းခြင်း သို့မဟုတ် ပေါင်းကူးခြင်း၊ အဖွင့်ပတ်လမ်း၊ ဝါယာကြိုးပြတ်တောက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပုံမှန်မဟုတ်သော ချိတ်ဆက်မှုများတွင် ချွတ်ယွင်းချက်များ၊ ပက်ကေ့ဂျ်များရှိ ဂဟေဘောလုံးများ ခိုင်မာမှုစသည့် ချို့ယွင်းချက်အချို့ ရှိနိုင်ပါသည်။
◆SAM (SAT) ultrasonic ချို့ယွင်းချက်ကို ထောက်လှမ်းခြင်းသည် အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံကို အဖျက်အဆီးမရှိ ထောက်လှမ်းနိုင်သည်။ICချပ်စ်အထုပ်၊ O wafer မျက်နှာပြင် ကွဲထွက်ခြင်း၊ O ဂဟေဘောလုံးများ၊ wafers သို့မဟုတ် fillers ကဲ့သို့သော အစိုဓာတ်နှင့် အပူစွမ်းအင်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ပျက်စီးဆုံးရှုံးမှုအမျိုးမျိုးကို ထိရောက်စွာသိရှိနိုင်သည် ထုပ်ပိုးပစ္စည်းများတွင် ကွက်လပ်များ၊ ထုပ်ပိုးပစ္စည်းအတွင်းရှိ ချွေးပေါက်များ၊ wafer bonding မျက်နှာပြင်များကဲ့သို့သော အပေါက်အမျိုးမျိုးရှိသည်။ ၊ ဂဟေဘောလုံးများ၊ အဖြည့်များ စသည်တို့
စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ- ၀၆-၂၀၂၂