မူရင်း IC စတော့ စစ်မှန်သော အသစ်စက်စက် အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်း Ic Chip ပံ့ပိုးမှု BOM ဝန်ဆောင်မှု DS90UB953TRHBRQ1

1. ချစ်ပ်များအတွက် ဆီလီကွန် ဘာကြောင့် ဖြစ်တာလဲ။အနာဂတ်တွင် ၎င်းကို အစားထိုးနိုင်သော ပစ္စည်းများ ရှိပါသလား။
ချစ်ပ်များအတွက် ကုန်ကြမ်းမှာ ဆီလီကွန်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော wafers ဖြစ်သည်။"သဲကို ချစ်ပ်များပြုလုပ်ရန်" ဟူသော အထင်အမြင်လွဲမှားမှုတစ်ခုရှိသော်လည်း ယင်းမှာ ထိုသို့မဟုတ်ပါ။သဲ၏ အဓိက ဓာတုဗေဒ အစိတ်အပိုင်းမှာ ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဖြစ်ပြီး ဖန်နှင့် ဖန်ခွက်များ၏ အဓိက ဓာတုဗေဒ အစိတ်အပိုင်းမှာ ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် ဖြစ်သည်။ခြားနားချက်မှာ မှန်သည် polycrystalline silicon ဖြစ်ပြီး မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် သဲကို အပူပေးခြင်းဖြင့် polycrystalline silicon ကို ထုတ်ပေးပါသည်။အခြားတစ်ဖက်တွင်မူ Wafers များသည် monocrystalline silicon ဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့ကို သဲမှပြုလုပ်မည်ဆိုပါက polycrystalline silicon မှ monocrystalline silicon သို့ ထပ်မံပြောင်းလဲရန်လိုအပ်ပါသည်။

ဆီလီကွန်ဆိုတာ အတိအကျ ဘာလဲ ၊ ချစ်ပ်ပြားတွေ လုပ်ဖို့ ဘာကြောင့် သုံးနိုင်သလဲ၊ ဒါကို ဒီဆောင်းပါးမှာ တစ်ခုပြီးတစ်ခု ဖော်ပြပါမယ်။

ကျွန်ုပ်တို့ နားလည်ထားရမည့်အချက်မှာ ဆီလီကွန်ပစ္စည်းသည် ချစ်ပ်အဆင့်သို့ တိုက်ရိုက်ခုန်ဆင်းခြင်းမဟုတ်ဘဲ ဆီလီကွန်ဒြပ်စင်ဆီလီကွန်မှ quartz သဲဖြင့် သန့်စင်ထားခြင်းဖြစ်ပြီး ဆီလီကွန်ဒြပ်စင်ပရိုတွန်အရေအတွက်သည် ဒြပ်စင်အလူမီနီယမ်ထက် ဖော့စဖရက်ဒြပ်စင်ထက် ပိုနည်းပါသည်။ ၎င်းသည် ခေတ်မီ အီလက်ထရွန်နစ် ကွန်ပြူတာ ကိရိယာများ ၏ အခြေခံ ပစ္စည်းများသာမကဘဲ ပြင်ပကမ္ဘာ ၏ အခြေခံ ဖြစ်နိုင်သော ဒြပ်စင်များ ထဲမှ တစ်ခုကို ရှာဖွေနေသူများလည်း ဖြစ်သည်။အများအားဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကို သန့်စင်ပြီး သန့်စင်သောအခါ (99.999%)၊ ထို့နောက် wafers များအဖြစ် လှီးဖြတ်ထားသော ဆီလီကွန် wafers များအဖြစ် ထုတ်လုပ်နိုင်ပါသည်။wafer က ပိုပါးလေ၊ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်တဲ့ ကုန်ကျစရိတ်က သက်သာလေ၊ ဒါပေမယ့် chip process အတွက် လိုအပ်ချက်တွေက ပိုများလေပါပဲ။

ဆီလီကွန်ကို ဝေဖာများအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲရာတွင် အရေးကြီးသော အဆင့်သုံးဆင့်

အထူးသဖြင့်၊ ဆီလီကွန်၏ wafers အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲခြင်းကို အဆင့်သုံးဆင့် ခွဲခြားနိုင်သည်- ဆီလီကွန် သန့်စင်ခြင်းနှင့် သန့်စင်ခြင်း၊ တစ်ခုတည်းသော crystal silicon ကြီးထွားမှုနှင့် wafer ဖွဲ့စည်းခြင်း။

သဘာဝတွင် ဆီလီကွန်ကို သဲနှင့် ကျောက်စရစ်များတွင် ဆီလီကိတ် သို့မဟုတ် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ပုံစံဖြင့် တွေ့ရှိရသည်။ကုန်ကြမ်းကို 2000°C တွင် လျှပ်စစ် arc furnace တွင် ထားရှိပြီး ကာဗွန် ရင်းမြစ်တစ်ခု တွင် ထားရှိကာ မြင့်မားသော အပူချိန်ကို ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် နှင့် ကာဗွန် (SiO2 + 2C = Si + 2CO) ကို ရရှိရန် သတ္တုဗေဒ အဆင့် ဆီလီကွန် ( 98% ဝန်းကျင် သန့်ရှင်းမှု။သို့သော်၊ ဤသန့်စင်မှုသည် အီလက်ထရွန်းနစ်အစိတ်အပိုင်းများ ပြင်ဆင်မှုအတွက် မလုံလောက်သောကြောင့် ၎င်းကို ထပ်မံသန့်စင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ကြေမွသောသတ္တုအဆင့် ဆီလီကွန်ကို ဓာတ်ငွေ့ရည်ထုတ်ရန် ဓာတ်ငွေ့ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ကလိုရိုက်ဖြင့် ကလိုရင်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ ထို့နောက် ပေါင်းခံပြီး ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် လျှော့ချကာ အီလက်ထရွန်နစ်အဆင့် ဆီလီကွန်ကဲ့သို့ 99.999999999% သန့်စင်မှု မြင့်မားသော ပိုလီဆီလီကွန်ကို ထုတ်ပေးသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် လျှော့ချထားသည်။

ဒါဆို polycrystalline silicon ကနေ monocrystalline silicon ကို ဘယ်လိုရနိုင်မလဲ။အသုံးအများဆုံးနည်းလမ်းမှာ polysilicon ကို quartz crucible တွင် ထားရှိကာ အစွန်းတွင် အပူချိန် 1400°C ဖြင့် အပူပေးကာ ပိုလီဆီလီကွန် အရည်ပျော်ခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေသည့် တိုက်ရိုက်ဆွဲနည်းဖြစ်သည်။ဟုတ်ပါတယ်၊ ၎င်းသည် ၎င်းထဲသို့ အစေ့ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုကို နှစ်ပြီး ပုံဆွဲတံကို စီလီကွန် အရည်ပျော်မှ အပေါ်သို့ ဖြည်းညှင်းစွာ ဒေါင်လိုက် ဆွဲယူနေစဉ် အစေ့ပုံသဏ္ဍန်ကို ဆန့်ကျင်ဘက်သို့ သယ်ဆောင်ပေးခြင်းဖြင့် ၎င်းကို ရှေ့တွင် လုပ်ဆောင်သည်။polycrystalline silicon သည် အစေ့ပုံဆောင်ခဲ၏ အောက်ခြေတွင် အရည်ပျော်သွားပြီး အစေ့ပုံဆောင်ခဲ၏ လမ်းကြောင်းအတိုင်း အပေါ်ဘက်သို့ ကြီးထွားလာကာ အတွင်းစေ့သလင်းကျောက်ကဲ့သို့ တူညီသော ရာဇမတ်ကွက်သို့ ပေါက်ရောက်သည့် တစ်ခုတည်းသော ကွက်လပ်တစ်ခု ဖြစ်လာသည်။နောက်ဆုံးတွင်၊ အရေးကြီးသော wafers များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် single-crystal wafers များကို ကြေမွ၊ ဖြတ်၊ မြေပြင်၊ chamfered၊ နှင့် ပွတ်ပေးပါသည်။

ဖြတ်တောက်သည့်အရွယ်အစားပေါ်မူတည်၍ ဆီလီကွန် wafer များကို 6", 8", 12" နှင့် 18" ဟူ၍ခွဲခြားနိုင်သည်။wafer အရွယ်အစားပိုကြီးလေ၊ wafer တစ်ခုစီမှ ချစ်ပ်များကို များများဖြတ်နိုင်လေဖြစ်ပြီး ချစ်ပ်တစ်ခုအတွက် ကုန်ကျစရိတ် သက်သာလေဖြစ်သည်။
2. ဆီလီကွန် wafers အဖြစ်သို့ပြောင်းလဲခြင်းအတွက်အရေးကြီးသောအဆင့်သုံးဆင့်

အထူးသဖြင့်၊ ဆီလီကွန်၏ wafers အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲခြင်းကို အဆင့်သုံးဆင့် ခွဲခြားနိုင်သည်- ဆီလီကွန် သန့်စင်ခြင်းနှင့် သန့်စင်ခြင်း၊ တစ်ခုတည်းသော crystal silicon ကြီးထွားမှုနှင့် wafer ဖွဲ့စည်းခြင်း။

သဘာဝတွင် ဆီလီကွန်ကို သဲနှင့် ကျောက်စရစ်များတွင် ဆီလီကိတ် သို့မဟုတ် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ပုံစံဖြင့် တွေ့ရှိရသည်။ကုန်ကြမ်းကို 2000°C တွင် လျှပ်စစ် arc မီးဖိုထဲတွင် ထားရှိပြီး ကာဗွန်ရင်းမြစ်တစ်ခုတွင် ထားရှိကာ မြင့်မားသော အပူချိန်ကို ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို ကာဗွန် (SiO2 + 2C = Si + 2CO) ဖြင့် တုံ့ပြန်ရန်အတွက် သတ္တုဗေဒအဆင့် ဆီလီကွန် ( 98% လောက် သန့်စင်တယ်။သို့သော်၊ ဤသန့်စင်မှုသည် အီလက်ထရွန်းနစ်အစိတ်အပိုင်းများ ပြင်ဆင်မှုအတွက် မလုံလောက်သောကြောင့် ၎င်းကို ထပ်မံသန့်စင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ကြေမွသော သတ္တုအဆင့် ဆီလီကွန်ကို ဓာတ်ငွေ့ရည်ထုတ်ရန် ဓာတ်ငွေ့ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ကလိုရိုက်ဖြင့် ကလိုရင်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ ထို့နောက်တွင် ပေါင်းခံပြီး ဓာတုဗေဒနည်းအရ သန့်စင်မှု 99.999999999% ရှိသည့် သန့်စင်သော ပိုလီဆီလီကွန်ကို ထုတ်ပေးသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် လျှော့ချပေးသည်။

ဒါဆို polycrystalline silicon ကနေ monocrystalline silicon ကို ဘယ်လိုရနိုင်မလဲ။အသုံးအများဆုံးနည်းလမ်းမှာ polysilicon ကို quartz crucible တွင် ထားရှိကာ အစွန်းတွင် အပူချိန် 1400°C ဖြင့် အပူပေးကာ ပိုလီဆီလီကွန် အရည်ပျော်ခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေသည့် တိုက်ရိုက်ဆွဲနည်းဖြစ်သည်။ဟုတ်ပါတယ်၊ ၎င်းသည် ၎င်းထဲသို့ အစေ့ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုကို နှစ်ပြီး ပုံဆွဲတံကို စီလီကွန် အရည်ပျော်မှ အပေါ်သို့ ဖြည်းညှင်းစွာ ဒေါင်လိုက် ဆွဲယူနေစဉ် အစေ့ပုံသဏ္ဍန်ကို ဆန့်ကျင်ဘက်သို့ သယ်ဆောင်ပေးခြင်းဖြင့် ၎င်းကို ရှေ့တွင် လုပ်ဆောင်သည်။polycrystalline silicon သည် အစေ့ပုံဆောင်ခဲ၏ အောက်ခြေတွင် အရည်ပျော်သွားပြီး အစေ့ပုံဆောင်ခဲ၏ လမ်းကြောင်းအတိုင်း အပေါ်ဘက်သို့ ကြီးထွားလာကာ အတွင်းစေ့သလင်းကျောက်ကဲ့သို့ တူညီသော ရာဇမတ်ကွက်သို့ ပေါက်ရောက်သည့် တစ်ခုတည်းသော ကွက်လပ်တစ်ခု ဖြစ်လာသည်။နောက်ဆုံးတွင်၊ အရေးကြီးသော wafers များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် single-crystal wafers များကို ကြေမွ၊ ဖြတ်၊ မြေပြင်၊ chamfered၊ နှင့် ပွတ်ပေးပါသည်။

ဖြတ်တောက်သည့်အရွယ်အစားပေါ်မူတည်၍ ဆီလီကွန် wafer များကို 6", 8", 12" နှင့် 18" ဟူ၍ခွဲခြားနိုင်သည်။wafer အရွယ်အစားပိုကြီးလေ၊ wafer တစ်ခုစီမှ ချစ်ပ်များကို များများဖြတ်နိုင်လေဖြစ်ပြီး ချစ်ပ်တစ်ခုအတွက် ကုန်ကျစရိတ် သက်သာလေဖြစ်သည်။

အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ဆီလီကွန်သည် ချစ်ပ်များပြုလုပ်ရန် အသင့်တော်ဆုံးပစ္စည်းဖြစ်သနည်း။

သီအိုရီအရ၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအားလုံးကို ချစ်ပ်ပစ္စည်းများအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သော်လည်း ဆီလီကွန်သည် ချစ်ပ်များပြုလုပ်ရန် အသင့်တော်ဆုံးသော အကြောင်းရင်းများမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

1၊ ကမ္ဘာ့ဒြပ်စင်ပါဝင်မှု အဆင့်သတ်မှတ်ချက်အရ အောက်ဆီဂျင် > ဆီလီကွန် > အလူမီနီယမ် > သံ > ကယ်လ်စီယမ် > ဆိုဒီယမ် > ပိုတက်စီယမ် ...... ထိုဆီလီကွန်သည် ဒုတိယအဆင့်ဖြစ်သည်ကို သိမြင်နိုင်သည်၊ ၎င်းပါဝင်မှုသည် ကြီးမားသည်၊ ၎င်းကိုလည်း ခွင့်ပြုပေးပါသည်။ ကုန်ကြမ်းများ မကုန်မခန်းလုနီးပါး ထောက်ပံ့မှုရှိရန် chip။

2၊ ဆီလီကွန်ဒြပ်စင် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများသည် အလွန်တည်ငြိမ်သည်၊ အစောဆုံး ထရန်စစ္စတာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများကို ဂျာမနီယမ်ပြုလုပ်ရန် အသုံးပြုသော်လည်း အပူချိန် 75 ℃ ကျော်လွန်သွားသောကြောင့် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် ကြီးမားသောပြောင်းလဲမှုဖြစ်လိမ့်မည်၊ နောက်ပြန်လှည့်ပြီးနောက် PN လမ်းဆုံအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသွားမည်ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ထက် ဂျာမနီယမ်၏ ယိုစိမ့်လျှပ်စီးကြောင်းကြောင့် ဆီလီကွန်ဒြပ်စင်ကို ချစ်ပ်ပစ္စည်းအဖြစ် ရွေးချယ်ခြင်းသည် ပိုသင့်လျော်ပါသည်။

3၊ ဆီလီကွန်ဒြပ်စင်သန့်စင်မှုနည်းပညာသည် ရင့်ကျက်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသောကြောင့် ယနေ့ခေတ် ဆီလီကွန်သန့်စင်မှုသည် 99.999999999% အထိရောက်ရှိနိုင်ပါသည်။

4၊ ဆီလီကွန်ပစ္စည်းကိုယ်တိုင်က အဆိပ်အတောက်မရှိသလို အန္တရာယ်မရှိသလို၊ ၎င်းကို ချစ်ပ်များအတွက် ထုတ်လုပ်သည့်ပစ္စည်းအဖြစ် ရွေးချယ်ရသည့် အဓိကအကြောင်းရင်းများထဲမှ တစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။